本專(zhuān)利公開(kāi)了一種CMOS自歸零電路,包括一個(gè)0.5PF的自歸零電容、一個(gè)1PF的積分電容和兩個(gè)降低電荷注入效應的NMOS管。當自歸零開(kāi)關(guān)S1和S2為高電平時(shí),電路處于復位期間,將放大器失調電壓和噪聲電壓存儲在自歸零電容上,S1?為控制補償管開(kāi)關(guān),減小S1開(kāi)關(guān)的電荷注入效應。放大器采用差分輸入的一級折疊共源共柵結構,克服了傳統的二級放大器使用的米勒補償電容在低溫77K下容易引起振蕩的缺點(diǎn);該自歸零電路在常溫和低溫77K之間都能正常工作,噪聲比傳統的電路低,可應用于非均勻性較大的中波線(xiàn)列紅外HgCdTe探測器信號的讀出。
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實(shí)用新型
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專(zhuān)利名稱(chēng)：CMOS自歸零電路專(zhuān)利類(lèi)型：實(shí)用新型專(zhuān)利號：CN201820156282.8發(fā)布日期：2025-11-19授權公告日：
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