技術(shù)難題：
大功率快恢復模塊芯片研發(fā)。
主要技術(shù)目標：
通過(guò)調整鉑擴散的時(shí)間和溫度達到有效控制反向恢復時(shí)間 trr 的目的，使 trr 控制在 25ns 到 500ns 之間；其次，從減小器件反向漏電流 IR 方面著(zhù)手，對 LPCVD 沉積摻氧半絕緣多晶硅薄膜系統進(jìn)行了優(yōu)化，使器件的反向漏電流 IR 控制在納安級；再次，對玻璃鈍化工藝進(jìn)行了優(yōu)化，有效解決了摻氧半絕緣多晶硅薄膜與玻璃鈍化層之間的氣泡問(wèn)題；最后，從改善 trr 的均勻性與穩定性入手，通過(guò)分組實(shí)驗不同型號的玻璃粉,最終選定更適合的玻璃粉配套快恢復二極管鈍化工藝材料。
